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Young说上兴头了，他有点停不下来，想把他对半导体的理解和国产半导体可替代的发展跟程钢好好聊聊：
“接下来回到我们的主题，14nm光刻机挑战是什么？”
“先谈FinFET，FinFET是加州大学伯克利分校著名教授，胡正明教授最先提出的3DMOSFET器件结构。”
“3DMOSFET通过立体的结构实现了超越前代平面晶体管的性能。11年Intel率先将其商业化。但到了14nm制程后，FinFET变得不再像以往可靠。”
“首先是逃不掉的量子效应，晶体管的电流很难提高了。甚至对于一些材料，电流会变低。对于芯片而言，电流意味着速度。”
“然后是漏电流，漏电流直接牵扯到功耗。在这么小的节点，FinFET也很难控制漏电。”
“最后是成本，按照摩尔定律，随着节点的减少，单个晶体管成本应该减少。”
“但到了14nm制程，繁杂的光刻流程，导致单个晶体管成本反而可能会上升。”
“中芯国际能搞定14nm制程，但是股价却迟迟上不去是为什么？”
“就是因为14nm制程太难了，中芯国际的良品率不够高，算是半完成。”
程钢点头道：“难怪中芯国际不再单独披露14nm和28nm工艺的营收占比情况，反而不断扩产28nm。”
Young对程钢的敏锐很满意：“即便在宣称14nm工艺量产后的这两年里，中芯国际还是把14nm和28nm的营收算在一起，现在甚至直接不公布营收占比情况了。”
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（扒了中芯国际从2020年和2021年的财报，其营收最大来源是55/65nm制程，而14/28nm营收占比2020年一季度是7.8%，到了2021年一季度占比不增反降变成了6.9%）
注：这里只是说中芯国际的14nm不如预期，而不是说中芯国际没搞出14nm工艺。
Young继续道：“芯片代工的难度比光刻机要低的。”
“中芯国际14nm制程都如此困难，光刻机14nm只会更加困难。
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